|
. @9 O1 p" T9 `! L3 u
财联社（上海，编辑黄君芝）讯，近日，IBM和三星公布了一种新的半导体芯片设计，自称这种设计可以延续摩尔定律。这一突破性的架构将允许垂直电流流动的晶体管嵌入到芯片上，从而产生更紧凑的设备，并为智能手机长周期运行等铺平了道路。 6 L) Q" l. g K: E v
' U6 M9 \$ K8 [+ H ( I T6 E+ T2 t r: l
' H! x1 P3 u$ S' O6 h6 S9 A# X
/ V9 J8 ?3 @" E4 ?
3 o1 p& x$ K( [; {" u" _ 据悉，新的垂直传输场效应晶体管（VTFET）设计旨在取代当前用于当今一些最先进芯片的FinFET技术，从本质上讲，新设计将垂直堆叠晶体管，允许电流在晶体管堆叠中上下流动，而不是目前大多数芯片上使用的左右水平布局。
& L4 j* V, P' v' j- R 根据IBM的说法，这种新的垂直结构允许在空间中装入更多的晶体管，同时还可以影响它们之间的接触点，以提高电流并节约能源。该公司表示，该设计可能会使性能翻倍，或者减少85%的能源消耗。 ' e6 q. s7 N" e0 ~# M. v
IBM已经生产了带有这种新的VTFET架构的测试芯片，并设想它在许多领域扮演着改变游戏规则的角色。随着物联网的持续发展，这些芯片可以让海洋浮标和自动驾驶汽车等设备以更少的能源运行，并可能对加密货币挖矿等能源密集型计算过程产生类似的影响，降低其碳足迹。
6 Z7 G: z, z+ V) z- U8 o& o 此外，根据IBM的说法，它还可以让宇宙飞船更高效，甚至让智能手机电池在不充电的情况下使用一周而不是几天。
. d# i/ V! P! l2 I IBM研究院混合云和系统副总裁Mukesh Khare博士说，“今天的技术声明是关于挑战传统，重新思考我们如何继续推进社会，并提供新的创新，以改善生活、业务和减少我们的环境影响。”
t; |: e' Q# F8 b K6 D& h “考虑到该行业目前在多个方面面临的限制，IBM和三星正在展示我们在半导体设计方面的联合创新的承诺，并共同追求我们所说的‘硬技术’。”他补充说。
3 e- F0 ]3 ^1 R0 P2 k& k+ I4 r- X& p4 W0 r+ B
1 f, {: W! H$ O) n5 h, f6 W4 C
' f" q9 n( c2 B% S8 [0 w; l; _2 C( ~
* {) _1 L$ |; h) k4 [6 C
( u# A$ X) Y: K5 U( X | 
