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5 |' ]; ~/ f$ j' |& F0 p 财联社（上海，编辑黄君芝）讯，近日，IBM和三星公布了一种新的半导体芯片设计，自称这种设计可以延续摩尔定律。这一突破性的架构将允许垂直电流流动的晶体管嵌入到芯片上，从而产生更紧凑的设备，并为智能手机长周期运行等铺平了道路。 + K* y, e; S2 G' A* r3 m
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据悉，新的垂直传输场效应晶体管（VTFET）设计旨在取代当前用于当今一些最先进芯片的FinFET技术，从本质上讲，新设计将垂直堆叠晶体管，允许电流在晶体管堆叠中上下流动，而不是目前大多数芯片上使用的左右水平布局。
, f4 R8 h2 O% J9 p5 X# E% C! M8 Q3 m 根据IBM的说法，这种新的垂直结构允许在空间中装入更多的晶体管，同时还可以影响它们之间的接触点，以提高电流并节约能源。该公司表示，该设计可能会使性能翻倍，或者减少85%的能源消耗。 " S4 M+ x4 C* I! n; w
IBM已经生产了带有这种新的VTFET架构的测试芯片，并设想它在许多领域扮演着改变游戏规则的角色。随着物联网的持续发展，这些芯片可以让海洋浮标和自动驾驶汽车等设备以更少的能源运行，并可能对加密货币挖矿等能源密集型计算过程产生类似的影响，降低其碳足迹。
# M+ N5 O; J& v; w" `/ H( M; W1 ? 此外，根据IBM的说法，它还可以让宇宙飞船更高效，甚至让智能手机电池在不充电的情况下使用一周而不是几天。 1 F' d/ l* ?# e6 i3 g+ Q) A [0 d
IBM研究院混合云和系统副总裁Mukesh Khare博士说，“今天的技术声明是关于挑战传统，重新思考我们如何继续推进社会，并提供新的创新，以改善生活、业务和减少我们的环境影响。” 3 z# w0 g' N# o* M
“考虑到该行业目前在多个方面面临的限制，IBM和三星正在展示我们在半导体设计方面的联合创新的承诺，并共同追求我们所说的‘硬技术’。”他补充说。 2 b5 b0 a1 X' p6 u. V2 f6 Z" K
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