# I- U0 T o+ s) _, w. Z
财联社(上海,编辑黄君芝)讯,近日,IBM和三星公布了一种新的半导体芯片设计,自称这种设计可以延续摩尔定律。这一突破性的架构将允许垂直电流流动的晶体管嵌入到芯片上,从而产生更紧凑的设备,并为智能手机长周期运行等铺平了道路。 ' B q; I! R& u6 m8 s6 C D
; S }8 W8 J% j. u* k+ O' U ; ]# W0 {* ~- k. x" N [
" X, ^( k3 ]" U! A
4 i' Y( w& X1 }( T$ x' t8 e$ m ( l+ `* }3 n G9 S% o0 ]; O! [
据悉,新的垂直传输场效应晶体管(VTFET)设计旨在取代当前用于当今一些最先进芯片的FinFET技术,从本质上讲,新设计将垂直堆叠晶体管,允许电流在晶体管堆叠中上下流动,而不是目前大多数芯片上使用的左右水平布局。
0 W4 x$ z6 d4 L0 W" v+ H8 o7 B% N 根据IBM的说法,这种新的垂直结构允许在空间中装入更多的晶体管,同时还可以影响它们之间的接触点,以提高电流并节约能源。该公司表示,该设计可能会使性能翻倍,或者减少85%的能源消耗。
: d; _' M0 \8 X! T5 \8 z& @, D/ Y IBM已经生产了带有这种新的VTFET架构的测试芯片,并设想它在许多领域扮演着改变游戏规则的角色。随着物联网的持续发展,这些芯片可以让海洋浮标和自动驾驶汽车等设备以更少的能源运行,并可能对加密货币挖矿等能源密集型计算过程产生类似的影响,降低其碳足迹。
9 m* \; `+ o" [. o6 a$ u 此外,根据IBM的说法,它还可以让宇宙飞船更高效,甚至让智能手机电池在不充电的情况下使用一周而不是几天。
: [2 |% E2 O$ b2 H IBM研究院混合云和系统副总裁Mukesh Khare博士说,“今天的技术声明是关于挑战传统,重新思考我们如何继续推进社会,并提供新的创新,以改善生活、业务和减少我们的环境影响。” , F2 \% H6 p& N/ X1 _
“考虑到该行业目前在多个方面面临的限制,IBM和三星正在展示我们在半导体设计方面的联合创新的承诺,并共同追求我们所说的‘硬技术’。”他补充说。
" |4 h: }- |1 F8 {. |' f$ [
; K9 e2 W2 h8 K+ Q9 E$ w
( }; e: d7 o( t5 G" u' F& F8 F/ g4 j: p7 \1 `- L% h& P
' P+ b* w* ~2 ~) G# I8 U/ Y
) b% J0 B/ s, \# V w+ z |