华为申请了光刻机装置专利 意味着攻克了EUV光刻机技术？

运营商财经 康钊/文

0 j* O- f1 I, [/ P. T5 V8 d

近日，有消息称华为公布了一项新专利，疑似有关 EUV 光刻机技术，但这有啥含义呢？真能解决中国连一台EUV光刻机都没有的严重困境？

必须承认，EUV光刻机是造成华为被卡脖子的重要原因——因为缺乏EUV光刻机，国内的芯片代工厂就无法提升到7纳米以上的制程；而国内芯片代工厂无法生产7纳米以上制程的芯片，就无法给华为代工5G芯片，因为华为的5G芯片是7纳米或者5纳米的，否则达不到相关性能。

5 e, N. x! Z" o3 F+ T' T r

所以，EUV光刻机不仅成了华为心中的痛，同时也是中国芯片业心中的痛。

; \) O( @( r1 Z+ b6 }

华为最近申请的一项光刻装置专利到底是什么呢？

5 U6 ?5 R" r- z0 L; W

据悉，华为确实申请了一种《反射镜、光刻装置及其控制方法》，而这种方法便能够解决相干光因形成固定的干涉图样而无法匀光的问题，在极紫外光的光刻装置基础上进行了优化，进而达到匀光的目的。

EUV光刻机的中文名字就叫极紫外光刻，它以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术，可使曝光波长一下子降到14纳米以下的特征尺寸。

但问题是EUV光刻机非常复杂，不是申请几项专利就够的。一个EUV光刻机有10万个零部件，还有，EUV光刻机还需要光刻胶等上下游产业链的配合，此外还需要测量台与曝光台（双工件台）、激光器、光速矫正器、能量控制器、光速形状设置、遮光器、能量探测器、掩膜版、掩膜台、物镜、内部封闭框架和减震器等11个模块的组件。

即便华为的光刻机专利是全世界最先 进的，没有这些上下游产业链支持，也是白搭。尤其是光刻机上游最为核心设备分别为光学镜头、光学光源和双工件台。

% E, e/ `5 J$ V# E) f) I# ]

上海微电子装备股份有限公司曾披露，将在2021-2022年交付第一台28nm工艺的国产的沉浸式光刻机。但是，到现在也没人见过这台国产光刻机，主要原因可能就是上海微电子光有技术不行，没有配套的产业链帮助提供组件。

: S2 ~5 w$ u5 o9 X- g

如今华为还是要低调，这要让美国人知道，又要开始使坏水了。

3 U0 C, a# q; g; Z8 p8 G& Q 1 @ J; X% H0 s* u) x2 P0 T : k2 i" i& e" \8 ~2 ?$ G5 a % U/ M" p, E) d8 }! C 8 O0 W3 p) G0 r1 k! g' b2 @0 R6 N * K/ V% f6 h2 t+ ?/ @ , ]) w: S! j% q" }) n; t$ F 2 h- J% d' b8 S: s. K0 u: p 5 i4 W$ A. s- x