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_/ x( I& I! z. F' h, T 本文源自:金融界 ( E: e1 @; [. O! c
金融界 2024 年 8 月 30 日消息，天眼查知识产权信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“硅抛光片的微粗糙度与氧化膜厚精确控制方法“，公开号 CN202410623802.1，申请日期为 2024 年 5 月。 + Q) A" g% V" a/ m( C
专利摘要显示，本发明涉及一种硅抛光片的微粗糙度与氧化膜厚精确控制方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：硅抛光片在 HF 槽内进行清洗。第二步：采用溢流方式进行超纯水清洗。第三步：进行 2 次 SC1 溶液清洗。第四步：进行 2 次与 SC1 溶液清洗时间保持一致的超纯水清洗。第五步：在 DHF 槽内进行清洗。第六步：在臭氧水槽内采用溢流方式清洗，完成臭氧水清洗后再用超纯水进行清洗。第七步：硅抛光片经过清洗后干燥采用温水慢提拉结合红外干燥方式。具有操作便捷和质量稳定性好的特点。通过 SC1 槽的清洗温度与清洗时间精确控制硅片的 Haze‑微粗糙度，同时通过臭氧水的清洗时间实现硅片表面氧化膜厚的精确控制。 0 D( a7 Y y# F7 H& j+ v% H
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